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J-GLOBAL ID：200903054675736659

磁気抵抗効果素子の製造方法および製造装置

Inventor： 福澤 英明 ,  鴻井 克彦 ,  湯浅 裕美 ,  橋本 進 ,  岩崎 仁志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004233641
Publication number (International publication number)：2006054257
Application date： Aug. 10, 2004
Publication date： Feb. 23, 2006
Summary：

【課題】面積抵抗RAの大幅な増大を招くことなく、高いMR変化率を有する磁気抵抗効果素子を製造できる方法を提供する。【解決手段】磁化固着層と、磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層を形成するにあたり、前記電流パスを形成する第1の金属層を成膜し、前記第1の金属層上に、前記絶縁層に変換される第2の金属層を成膜し、前記第2の金属層に希ガスのイオンビームまたはRFプラズマを照射して前記第2の金属層中に前記第1の金属層の一部を侵入させる前処理を行い、酸化ガスまたは窒化ガスを供給して、前記第2の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記電流パスを形成する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、 前記スペーサ層を形成するにあたり、 前記電流パスを形成する第1の金属層を成膜し、 前記第1の金属層上に、前記絶縁層に変換される第2の金属層を成膜し、 前記第2の金属層に希ガスのイオンビームまたはRFプラズマを照射する前処理を行い、 酸化ガスまたは窒化ガスを供給して、前記第2の金属層を前記絶縁層に変換することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (9)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G01R 33/09

FI (8)：

H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R

F-Term (25)：

2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049GC06 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-322041   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子、その製造方法及び製造装置並びに磁気再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-269099   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-316799   Applicant：株式会社東芝
• CPP-GMR再生ヘッドおよびその製造方法、ならびにCPP-GMR素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-154539   Applicant：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-378648   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-316799   Applicant：株式会社東芝
• CPP-GMR再生ヘッドおよびその製造方法、ならびにCPP-GMR素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-154539   Applicant：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-378648   Applicant：株式会社東芝