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J-GLOBAL ID:200903073671699648

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉武 賢次 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001322041
Publication number (International publication number):2002208744
Application date: Oct. 19, 2001
Publication date: Jul. 26, 2002
Summary:
【要約】【課題】 適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】 センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに抵抗調整層を設ける。抵抗調整層は、酸化物、あるいは窒化物、あるいはフッ化物、あるいは炭化物、あるいはホウ化物を主成分とし、連続膜でもピンホールが設けられていても良い。スピン依存散乱効果を有効的に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。
Claim (excerpt):
磁化の方向が実質的に一方に固着された強磁性膜を有する磁化固着層と、磁化の方向が外部磁界に応じて変化する強磁性膜を有する磁化自由層と、前記磁化自由層と前記磁化固着層との間に設けられた非磁性中間層とを有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して垂直方向に通電するために前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、酸化物、あるいは窒化物、あるいはフッ化物、あるいは炭化物、あるいはホウ化物を主成分とする抵抗調整層と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32
FI (6):
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R
F-Term (11):
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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