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J-GLOBAL ID：200903054690222955

磁気メモリセルのアクセス方法及び磁気メモリセル

Inventor： 南方 量二 ,  道嶋 正司 ,  林 秀和
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000065913
Publication number (International publication number)：2001256773
Application date： Mar. 10, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来の磁気トンネル接合(MTJ)素子を用いた磁気メモリではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。【解決手段】 閉磁路構造を有する磁気メモリセル11の閉磁路内にビット線12を設け、磁気メモリセル11上に絶縁層26を介してワード線13を直交配列する。

Claim (excerpt)：

磁気メモリセルの記憶を保持する磁性層上に閉磁路層を設け、該磁性層と該閉磁路層とが構成する閉磁路内に第一の電流線を配置し、該閉磁路外に第二の電流線を配置するとともに、該第一の電流線に該閉磁路層の磁化は反転するが該磁性層の磁化は反転しない電流を流し、該第二の電流線に単独では該磁性層の磁化は反転しないが該第一の電流線との合成磁界は該磁性層の磁化を反転する電流を流すことにより、該磁性層の磁化方向を変えることを特徴とする磁気メモリセルのアクセス方法。

IPC (5)：

G11C 11/15 ,  G11B 5/02 ,  G11C 11/14 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08

FI (5)：

G11C 11/15 ,  G11B 5/02 R ,  G11C 11/14 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08 Z

F-Term (7)：

5D091CC05 ,  5D091CC26 ,  5D091HH20 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気メモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-255308   Applicant：三洋電機株式会社