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J-GLOBAL ID：200903054740511023

テ-パ-付き電極及び電極縁部減衰材料を用いた半導体バルク音響共振器(SBAR)装置の横モ-ド抑制

Inventor： ドリュー・カシュマン ,  ジェイ・ディー・クローフォード
Applicant, Patent owner： ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999180160
Publication number (International publication number)：2000031552
Application date： Jun. 25, 1999
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 動作特性の改善された半導体バルク音響共振器(SBAR)を提供する。【解決手段】 SBAR20は、横方向伝播音波モードを抑制すべく構成されている。横方向音波モードは、共振器電極26、28の横方向寸法を変えること、及び/又は、ポリイミド等の粘弾性材料のような粘弾性音響減衰材料を電極26、28の周囲の少なくとも一部分に沿って用いて、電極領域内に戻る電極縁部での横音響モードの反射を弱めることによって制御される。

Claim (excerpt)：

半導体バルク音響共振器(SBAR)であって、基板と、前記基板上に形成された圧電性材料層と、前記圧電性材料層を間に挟んで形成された一対の電極と、前記共振器の横方向共振を抑制する手段と、を備えた半導体バルク音響共振器。

IPC (2)：

H01L 41/08 ,  H03H 9/17

FI (2)：

H01L 41/08 D ,  H03H 9/17 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-276915
  
• 薄膜圧電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-289804   Applicant：三菱電機株式会社
• 圧電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-035191   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭60-103709