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J-GLOBAL ID:200903054765269430

電解質・電極接合体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 千葉 剛宏 ,  宮寺 利幸 ,  佐藤 辰彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003375577
Publication number (International publication number):2005141969
Application date: Nov. 05, 2003
Publication date: Jun. 02, 2005
Summary:
【課題】具備する電解質・電極接合体を構成する固体電解質にクラックが生じることを可及的に抑制する。【解決手段】アノード側電極12と固体電解質16との間に、平坦化層20を設ける。この平坦化層20は、アノード側電極12に比して気孔率が小さく設定される。平坦化層20は、アノード側電極12における固体電解質16を臨む側の端面で開口した大径気孔24を充填するとともに、該端面に隆起した凸部25を埋没させて平坦化する。従って、この平坦化層20上に固体電解質16が設けられる際、該固体電解質16に陥没や隆起が生じてこれらの部位に応力が集中することが回避される。【選択図】図2
Claim (excerpt):
第1電極と第2電極との間に固体電解質が介在されて構成され、前記第1電極がアノード側電極又はカソード側電極のいずれか一方として機能するとともに、前記第2電極がカソード側電極又はアノード側電極の残余の一方として機能する電解質・電極接合体において、 前記第1電極は、ガスが流通する気孔を有するとともに前記固体電解質に臨む側の端面に凹部及び凸部を有する多孔質体であり、 前記第1電極と前記固体電解質との間に、前記凹部を充填するとともに前記凸部を埋没し、且つ前記固体電解質に臨む側の端面が平坦な平坦化層を有し、 前記平坦化層の気孔率が前記第1電極に比して小さいことを特徴とする電解質・電極接合体。
IPC (4):
H01M8/02 ,  H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M8/12
FI (4):
H01M8/02 E ,  H01M4/86 U ,  H01M4/88 T ,  H01M8/12
F-Term (17):
5H018AA06 ,  5H018AS02 ,  5H018AS03 ,  5H018BB01 ,  5H018BB08 ,  5H018BB09 ,  5H018CC06 ,  5H018DD01 ,  5H018HH03 ,  5H018HH04 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB04 ,  5H026CX01 ,  5H026CX05 ,  5H026HH03 ,  5H026HH04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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