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J-GLOBAL ID：200903054838424501

注入領域および保護層を含む半導体デバイスおよびそれを形成する方法

Inventor：
スコット ティー.シェパード

About スコット ティー.シェパード

, 
アダム ウィリアム ザクスラー

About アダム ウィリアム ザクスラー


Applicant, Patent owner：
クリー インコーポレイテッド

About クリー インコーポレイテッド


Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006335975
Publication number (International publication number)：2007189213
Application date： Dec. 13, 2006
Publication date： Jul. 26, 2007
Summary：
【課題】注入領域および保護層を含む半導体デバイスおよびそれを形成する方法を提供すること。【解決手段】半導体デバイスを形成する方法が、半導体層の上に保護層を形成するステップと、半導体層の注入領域を形成するために、第1の導電性タイプを有するイオンを保護層を通して半導体層内に注入するステップと、注入されたイオンを活性化させるために、半導体層および保護層をアニーリングするステップとを含む。半導体層の注入領域を露出させるために、保護層に開口が形成され、開口内に電極が形成される。半導体構造が、第III族窒化物半導体層と、半導体層の上の保護層と、半導体層内部の注入ドーパントの分布と、保護層を通して半導体層に延在するオーミックコンタクトとを含む。【選択図】図1F
Claim (excerpt)：
半導体層の上に保護層を形成するステップと、 第1の導電性タイプを有するイオンを前記保護層を通して前記半導体層内に注入して前記半導体層の注入領域を形成するステップと、 前記半導体層および前記保護層をアニーリングして前記注入されたイオンを活性化させるステップと、 前記保護層に開口を形成して前記半導体層の前記注入領域を露出させるステップと、 前記開口内に電極を形成するステップと を含むことを特徴とする半導体デバイスを形成する方法。
IPC (4)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/265
FI (2)：
H01L29/80 H ,  H01L21/265 601H
F-Term (24)：
5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR15 ,  5F102GS04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC09 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (16)
  • 米国特許第5192987号明細書
  • 米国特許第5200022号明細書
  • 米国特許第6218680号明細書
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Cited by examiner (3)

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