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J-GLOBAL ID:200903054850033577

半導体集積回路および半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994278741
Publication number (International publication number):1996139273
Application date: Nov. 14, 1994
Publication date: May. 31, 1996
Summary:
【要約】【目的】 基板に伝達されてきたデジタルノイズがMIS容量素子に接続された回路にクロストークしないようにする。【構成】 基板端子1とMIS容量4との間に第1容量2と第2容量3とを直列的に接続し、第1容量2と第2容量3との間に電源7を接続して、この電源7により第1容量2と第2容量3との間の電位を任意の電位に制御するようにする。
Claim (excerpt):
基板端子に接続した第1容量と、前記第1容量に直列に接続した第2容量と、前記第2容量に直接に接続したMIS容量と、前記第1容量と前記第2容量との間に接続したもので、該第1容量と該第2容量との間の電位を任意の電位に制御するための電源とからなることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平4-346261
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-058396   Applicant:富士通株式会社
  • 特開平4-346261

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