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J-GLOBAL ID：200903054889958772

半導体レーザ装置

Inventor： 庄野 昌幸 ,  廣山 良治 ,  吉年 慶一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995066011
Publication number (International publication number)：1995312465
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、井戸層と障壁層にそれぞれ、逆方向に加える歪量を最適なものにし、井戸層に大きな歪をかけ、レーザ特性の改善を行うことを目的とする。【構成】 半導体基板上に形成された井戸層と障壁層を交互に積層した構造からなる量子井戸層で活性層4が構成され、この活性層4を挟むようにクラッド層3、5が設けられた半導体レーザ装置において、各井戸層の歪量を-0.8%ないし-1.5%、膜厚80Åないし180Åで構成し、各障壁層の歪量を+0.5%ないし+1.0%、膜厚20Åないし60Åで構成し、井戸層及び障壁層を2ないし4層に積層する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された井戸層と障壁層の積層構造からなる量子井戸層で活性層が構成され、この活性層を挟むようにクラッド層が設けられた半導体レーザ装置において、上記半導体基板の格子定数をa、i番目の上記井戸層の格子定数をa<SB>wi</SB>、i番目の上記井戸層の膜厚をt<SB>wi</SB>、i番目の上記障壁層、ガイド層の格子定数a<SB>bi</SB>、i番目の上記障壁層、ガイド層の膜厚をt<SB>bi</SB>として、i番目の上記量子井戸層の歪量Δa<SB>wi</SB>を、Δa<SB>wi</SB>=(a<SB>wi</SB>-a)/a で定義し、かつi番目の上記障壁層、ガイド層の歪量Δa<SB>bi</SB>を、Δa<SB>bi</SB>=(a<SB>bi</SB>-a)/a で定義し、上記活性層部で累積される歪と膜厚の積をΔとし、ここで、nは上記井戸層の層数、mは上記障壁層、ガイド層の層数、で算出される時、上記Δa<SB>wi</SB>、Δa<SB>bi</SB>及びΔがそれぞれ-2.0%≦Δa<SB>wi</SB><0%、0%<Δa<SB>bi</SB>≦+1.5%、-3.6×10<SP>-10</SP> (m)≦Δ<0の関係を満足することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 歪量子井戸半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-353406   Applicant：古河電気工業株式会社, 光技術研究開発株式会社