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J-GLOBAL ID：200903054910085903

原子層堆積のためのガス配送装置

Inventor： チェン, リング ,  ク, ヴィンセント ,  ウー, ディエーン-イェ ,  チャン, フア ,  オウイェ, アラン ,  ナカシマ, ノーマン ,  チャン, メイ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003538423
Publication number (International publication number)：2005507030
Application date： Oct. 25, 2002
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

原子層堆積のような繰返し層堆積プロセスを実行するための装置及び方法が提供される。1つの態様において、この装置は、基板受け入れ面を有する基板支持体と、チャンバ蓋とを備え、該チャンバ蓋は、その中央部分から延びるテーパー付けされた通路と、該通路から上記チャンバ蓋の周囲部分へ延びる底面とを含み、該底面は、上記基板受け入れ面を実質的に覆う形状及びサイズにされている。又、この装置は、徐々に拡がるチャンネルに結合された1つ以上のバルブと、各バルブに結合された1つ以上のガス源も備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板受け入れ面を有する基板支持体と、 チャンバ蓋であって、該チャンバ蓋の中央部分から下方に延びる徐々に拡がる通路と、該通路から上記チャンバ蓋の周囲部分へ延びる底面とを含み、該底面が上記基板受け入れ面を実質的に覆う形状及びサイズにされているチャンバ蓋と、 上記徐々に拡がる通路と流体連通した1つ以上のバルブと、 上記各バルブと流体連通した1つ以上のガス源と、 を備えたチャンバ。

IPC (3)：

C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

FI (3)：

C23C16/455 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

F-Term (32)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA08 ,  4K030JA01 ,  4K030JA11 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH14 ,  5F045AA03 ,  5F045DP03 ,  5F045EE11 ,  5F045EE19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 薄膜製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-137175   Applicant：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
• 特開平4-087323
  

Cited by examiner (3)

• 特開平4-087323
  
• 薄膜製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-137175   Applicant：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
• 特開平4-087323