薄膜製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部正夫 (外12名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000137175
Publication number (International publication number)：2001020075
Application date： May. 10, 2000
Publication date： Jan. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】表面反応によって基板上に薄膜を形成する気相反応物の交互の表面反応に基板を曝すことにより、前記基板上に前記薄膜を成長させる装置を提供する。【解決手段】本装置は、真空容器(1)と、気体反応生成物および過剰反応物を排出する出口チャネル(4)だけでなく、前記基板を移送することができ、内部に前記薄膜成長プロセスで使用される反応物を供給する供給チャネル(6)を有する反応スペース付き出口チャネル反応チャンバ(2)とを備える。本発明によれば、前記反応チャンバは、前記真空容器(1)の内壁に対して動かないように取り付けられたベース部分(9、10)と、前記反応チャンバの前記ベース部分に対して密閉可能に適合された可動部分(18)とを備える。本発明により、基板ローディングチャンバの清潔性を向上させ、基板の汚染度を低減させることが可能になる。本装置は、半導体層の構造およびディスプレイユニットのためのALE方法による薄膜の製造における使用に意図される。

Claim (excerpt)：

表面反応によって基板上に薄膜を形成するために気相反応物の交互表面反応に基板を曝すことによって基板上に薄膜を成長させる装置であって、-前記基板をその中に移送することができる反応スペースを有する反応チャンバ(2)と、-前記反応チャンバに連結された、薄膜成長プロセス中に使用される反応物をその中に供給するための入口チャネル(6)と、-前記反応チャンバに連結された、気体反応生成物および余剰反応物を排出するための出口チャネル(4)とを備え、-前記反応チャンバ(2)は少なくとも2つの部分(9、10、18)を備え、少なくとも1つの部分(18)は反応チャンバの残りの部分(9、10)に対して可動であり、前記反応チャンバの前記残りの部分(9、10)に対して密閉可能なように適合されることを特徴とする装置。

IPC (3)：

C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (3)：

C23C 16/44 F , H01L 21/205 , H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置用高圧酸化炉
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-234196 Applicant：山形日本電気株式会社
プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-181166 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平2-199820

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