半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995253247
Publication number (International publication number)：1997097899
Application date： Sep. 29, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】リーク電流が発生したり、アーリー電圧が低下したりすることのない、拡散層深さの浅い半導体装置を提供する。【解決手段】 N型型半導体基板1上にゲルマニウムを含む単結晶シリコン層からなるスペーサ層2とチャネルシリコン層3を順次形成した後、チャネルシリコン層3の能動領域となる部分に所定の厚さのゲート酸化膜6を形成する。続いて、ゲート酸化膜6上に、所定のパターンのゲート電極を形成し、これをイオン注入のマスクとしてP型不純物イオンをイオン注入し、所定温度の窒素雰囲気中でアニールすることによりチャネルシリコン層3内にソース・ドレイン領域8を形成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板上に第2導電型不純物を含むシリコン層を形成してなる半導体装置において、前記シリコン層下にゲルマニウムを含む単結晶シリコン層からなるスペーサ層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 , H01L 29/165 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (3)：

H01L 29/78 301 H , H01L 29/165 , H01L 29/72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-345630 Applicant：株式会社東芝
特開平3-280437
特開平4-179234

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