狭い波長分布を有する多重半導体レーザ構造

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001514518
Publication number (International publication number)：2003535454
Application date： Jul. 26, 2000
Publication date： Nov. 25, 2003
Summary：

【要約】複数の垂直方向に上下に積み重ねられているレーザpn接合(10)から成っている多重半導体レーザ構造では作動中、共通のヒートシンクの層構造の内の種々異なった距離に基づいて活性領域(8)の種々異なった動作温度が発生する。このような温度の影響により引き起こされる、放射波長のずれは活性領域(8)の厚みおよび/または材料組成の変化によって補償されるので、狭い波長分布が実現される。

Claim (excerpt)：

垂直方向に上下にスタックされている複数個のpn接合(10)を備え、該pn接合はそれぞれ、光放射する活性領域(8)を有しており、該活性領域のうちそれぞれ垂直方向に隣接しているpn接合(10)はn+p+トンネル接合(20)によって相互に分離されており、該n+p+トンネル接合はn+ドーピングされた層とp+ドーピングされた層とから成っており、ここでn+ドーピングされた層は一方のpn接合(10)のn領域に接続されておりかつp+ドーピングされた層は他方のpn接合(10)のp領域に接続されており、かつn+ドーピング濃度ないしp+ドーピング濃度は、作動中、トンネル接合(20)の比較的低い電気抵抗が生じるように選定されており、p側に第1のコンタクト金属化部(6)を備え、n側に第2のコンタクト金属化部(7)を備えている多重半導体レーザ構造において、レーザpn接合(10)の材料組成および/または光放射する活性領域(8)の厚みは、作動中種々異なった作動温度が放射波長に及ぼす影響が補償されるように相互に調整されていることを特徴とする多重半導体レーザ構造。

IPC (3)：

H01S 5/40 , H01S 5/30 , H01S 5/343

FI (3)：

H01S 5/40 , H01S 5/30 , H01S 5/343

F-Term (7)：

5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073AB05 , 5F073CA05 , 5F073DA35 , 5F073EA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-356021 Applicant：トヨタ自動車株式会社
特開昭63-064384
特開平4-340290

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

OPTICAL ENGINEERING, 19821101, V21 N6, P1046-1050

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