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J-GLOBAL ID：200903054955528024

半導体レーザ

Inventor： 田中 治夫 ,  尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994235012
Publication number (International publication number)：1996097508
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 使用目的に適応した低ノイズで高特性の半導体レーザが簡単にえられる半導体レーザの構造を提供する。【構成】 活性層が上部および下部クラッド層で挟持されてなる半導体レーザにおいて、該上部もしくは下部クラッド層3、5、7、9の少なくとも一方の層中に、活性層4で発生する光を吸収する吸収層6および前記活性層の発光領域のみに電流を注入するための電流注入領域がストライプ状に形成された電流阻止層8が一定距離をおいて別々に設けられている。

Claim (excerpt)：

活性層が上部および下部クラッド層で挟持されてなる半導体レーザであって、該上部もしくは下部クラッド層の少なくとも一方の層中に、該活性層で発生する光を吸収する吸収層および前記活性層の発光領域のみに電流を注入するための電流注入領域が形成された電流阻止層が一定距離をおいて設けられてなる半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-253813   Applicant：シヤープ株式会社
• 特開昭61-084891
  
• 半導体レーザ素子及びその設計方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-062265   Applicant：三洋電機株式会社