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J-GLOBAL ID：200903054989056474
半導体発光素子およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997265214
Publication number (International publication number)：1999112023
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：
【要約】【課題】 島状半導体層の中央部の発光強度が弱いという問題があった。【解決手段】 基板上に一導電型半導体層を設けると共に、この一導電型半導体層の一端部側が露出するようにこの一導電型半導体層上に逆導電型半導体層を設け、前記一導電型半導体層の露出部と、この露出部と対向する端部側の前記逆導電型半導体層とに電極をそれぞれ接続して設けた半導体発光素子において、前記二つの電極間の前記一導電型半導体層と逆導電型半導体層に前記二つの電極方向に延びるスリットを設けた。
Claim (excerpt)：
基板上に一導電型半導体層を設けると共に、この一導電型半導体層の一端部側が露出するようにこの一導電型半導体層上に逆導電型半導体層を設け、前記一導電型半導体層の露出部と、前記逆導電型半導体層における前記露出部と対向する端部側に電極をそれぞれ接続して設けた半導体発光素子において、前記二つの電極間の前記一導電型半導体層と逆導電型半導体層に前記二つの電極方向に延びるスリットを設けたことを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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