薄膜光電変換装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996234214
Publication number (International publication number)：1998079522
Application date： Sep. 04, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】前面透明電極層,半導体光電変換層,および背面金属電極層のいずれの層もレーザスクライブ法によって精度よくかつ生産性よく分離加工することが可能であってかつ優れた光電変換特性を有する積層型薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】薄膜光電変換装置は、透光性基板(11)上に少なくともレーザ光吸収層(12)と金属層(13)とをこの順序で積層し、透光性基板(11)を介してレーザビーム(LB)をレーザ光吸収層(12)に照射することによってそのレーザ光吸収層(12)のみならず金属層(13)を同時に所定のパターンで分離加工する工程を経て製造されることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

薄膜光電変換装置の製造方法であって、透光性基板上に少なくともレーザ光吸収層と金属層とをこの順序で積層するステップと、前記透光性基板を介してレーザビームを前記レーザ光吸収層に照射することによって、前記レーザ光吸収層のみならず前記金属層を同時に所定のパターンで切断するステップを含むことを特徴とする薄膜光電変換装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光起電力装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-173911 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭63-274183
特開平3-157977

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