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J-GLOBAL ID：200903055013005430

成膜方法

Inventor： 前田 和夫 ,  徳増 徳 ,  湯山 芳章
Applicant, Patent owner： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210896
Publication number (International publication number)：1997064029
Application date： Aug. 18, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】熱CVD法によるフッ素含有シリコン酸化膜の成膜方法に関し、カバレージに優れ、比誘電率が小さく、膜質の安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成する。【解決手段】基板6を加熱した状態でSi-F結合を有する有機シランとSi-F結合を有しない有機シランと酸化性ガスとを含む混合ガスを反応させて基板6上にフッ素含有シリコン酸化膜を形成する。

Claim (excerpt)：

基板を加熱した状態でSi-F結合を有する有機シランとSi-F結合を有しない有機シランと酸化性ガスとを含む混合ガスを反応させて前記基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-304196   Applicant：日本電気株式会社
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-006381   Applicant：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 特開平4-167431
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-193781   Applicant：富士通株式会社