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J-GLOBAL ID：200903039054517261

成膜方法

Inventor： 前田 和夫 ,  徳増 徳 ,  湯山 芳章
Applicant, Patent owner： キヤノン販売株式会社 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994006381
Publication number (International publication number)：1995211712
Application date： Jan. 25, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、プラズマCVD法によりシリコン含有絶縁膜を形成する成膜方法に関し、安全性の高い反応ガスを用いて、膜質が緻密で、膜中の水分,カーボンその他の有機残留物の含有量が少なく、カバレージが良く、かつ熱CVD法によるシリコン酸化膜との相性の良い絶縁膜を形成することが可能で、形成される絶縁膜の屈折率や応力等を制御する。【構成】Si-H結合を有する有機化合物と酸化性ガスを含む混合ガスをプラズマ化し、反応させてシリコン含有絶縁膜15を被堆積基板14上に形成することを含む。

Claim (excerpt)：

Si-H結合を有する有機化合物と酸化性ガスを含む混合ガスをプラズマ化し、反応させてシリコン含有絶縁膜を被堆積基板上に形成する成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平2-166281
  
• 特開昭60-245128
  
• 特開平2-102534
  
• 特開昭61-234531
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068856   Applicant：川崎製鉄株式会社
• シリコン酸化膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331030   Applicant：東亞合成化学工業株式会社