Pat

J-GLOBAL ID：200903055013579134

薄膜太陽電池

Inventor： 近藤 正隆 ,  林 克彦 ,  山岸 英雄
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 柳野 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994242509
Publication number (International publication number)：1996107228
Application date： Oct. 06, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】薄膜半導体層との接着強度と高い反射率を両立した裏面電極構造を有する薄膜太陽電池を提供すること。【構成】絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を順次積層した薄膜太陽電池であって、裏面電極層を、薄膜半導体層を構成する半導体よりも低い屈折率を有する第1の透明導電性金属化合物層と、第2の透明導電性金属化合物層と、金属層によって構成するとともに、第2の透明導電性金属化合物層が、第1の透明導電性金属化合物層の構成成分と金属層の構成成分の少なくとも一方を含むことを特徴的構成としている。

Claim (excerpt)：

絶縁性透明基板上に透明電極層、薄膜半導体層、裏面電極層を順次積層した薄膜太陽電池であって、裏面電極層を、薄膜半導体層を構成する半導体よりも低い屈折率を有する第1の透明導電性金属化合物層と、第2の透明導電性金属化合物層と、金属層によって構成するとともに、第2の透明導電性金属化合物層が、第1の透明導電性金属化合物層の構成成分と金属層の構成成分の少なくとも一方を含むことを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (4)：

H01L 31/04 ,  H01L 29/40 ,  H01L 49/02 ,  H01L 21/203

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-262097   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭55-108780