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J-GLOBAL ID:200903055022527929

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中澤 昭彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997300656
Publication number (International publication number):1999135546
Application date: Oct. 31, 1997
Publication date: May. 21, 1999
Summary:
【要約】【課題】外部接続端子部とボンディングワイヤとの接続状態を良好にし、信頼性の高いリードレス構造の樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】この樹脂封止型半導体装置は、半導体素子1と、その半導体素子1と所定間隔を隔てた位置に配置される外部接続端子部2と、半導体素子1と外部接続端子部2とを接続するボンディングワイヤ3と、半導体素子1、外部接続端子部2及びボンディングワイヤ3を封止する封止樹脂4とからなるリードレス構造である。外部接続端子部2は、封止樹脂4の内部に位置しボンディングワイヤ3に接続される略平坦状の内側面2aと、封止樹脂4の外部に露出した外側面2bとを有する。半導体素子1、封止樹脂4及び外部接続端子部2の外側面2bは、略同一平面状に形成される。
Claim (excerpt):
半導体素子と、その半導体素子と所定間隔を隔てた位置に配置される外部接続端子部と、前記半導体素子と外部接続端子部とを接続するボンディングワイヤと、前記半導体素子、外部接続端子部及びボンディングワイヤを封止する封止樹脂とを有するリードレス構造の樹脂封止型半導体装置において、前記外部接続端子部は、前記封止樹脂の内部に位置し前記ボンディングワイヤに接続される略平坦状の内側面と、封止樹脂の外部に露出した外側面とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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