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J-GLOBAL ID：200903055047551077

磁気抵抗デバイス及び斯種のデバイスを用いる磁気ヘッド

Inventor： ヘイス マルティヌス アデラ マリア ,  ケリー パウル イォセフ
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェン ノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995510707
Publication number (International publication number)：1996504303
Application date： Sep. 13, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】磁気抵抗デバイスは、少なくとも1つの非強磁性材料製の介挿層によって相互離間される2つの強磁性材料層を具えており、これら強磁性材料層の少なくとも一方は半金属材料で構成し、好ましくは双方の強磁性層を主として半金属材料で構成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの非磁性材料製の介挿層によって相互離間される2つの強磁性材料層を具えている磁気抵抗デバイスにおいて、前記強磁性材料層のうちの少なくとも一方を半金属材料製としたことを特徴とする磁気抵抗デバイス。

IPC (2)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052530   Applicant：株式会社東芝