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J-GLOBAL ID：200903055060119885
マイクロ波伝送回路一体型マイクロ波発生素子及びマイクロ波伝送回路一体型マイクロ波検出素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (4)：
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 渡辺 敏章
, 今村 健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006069533
Publication number (International publication number)：2006295908
Application date： Mar. 14, 2006
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：
【課題】電子回路のマイクロ波発生及びマイクロ波検出部分を、高能率化、小型化する。【解決手段】マイクロ波発生素子Aは、下部電極1と、下部電極1上に島状に形成された磁気抵抗素子を形成する層3と、磁気抵抗素子を形成する層3の周囲を囲むように下部電極1上に形成された絶縁体7と、絶縁体7及び磁気抵抗素子を形成する層3上に形成された上部電極5と、を有している。磁気抵抗素子を形成する層3は、下部電極1側から順に磁化固定層3aと中間層3bと、磁化自由層3cと、を有している。磁化自由層3cは、電流によって共鳴振動を起こすことが必要であり、例えば、断面積の大きさで200nm角以下、膜厚において1から5nm程度の厚さであるのが好ましい。磁化固定層3aは、単一材料であれば、磁化自由層3cの10倍程度以上の厚さを必要とする。尚、磁化固定層3aとして、反強磁性結合を利用する磁性金属多層膜を用いることも可能である。【選択図】図1A
Claim (excerpt)：
信号電極と接地電極とを有するマイクロ波伝送回路と、
前記マイクロ波伝送回路に配置された強磁性多層膜磁気抵抗素子であって、磁化の共鳴振動が生じる程度の大きさであり、かつ、前記マイクロ波伝送回路自体の特性インピーダンスに変化を生じさせない程度の微小な強磁性多層膜磁気抵抗素子と、
前記信号電極から前記強磁性多層膜磁気抵抗素子を通って前記接地電極へと電流を流せる位置に形成された電極と
を有することを特徴とするマイクロ波発生素子。
IPC (4)：
H03B 15/00
, H01L 43/08
, H01L 43/10
, H01P 5/08
H03B15/00
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
, H01L43/08 U
, H01P5/08 J
Cited by applicant (2)
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ガンダイオード発振器
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-165010
Applicant：新日本無線株式会社
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磁気抵抗効果センサーおよび磁気ディスク装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-024733
Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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