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J-GLOBAL ID：200903055080980200

容量素子、半導体装置およびその製造方法

Inventor： 那須 徹 ,  井上 敦雄 ,  長野 能久 ,  松田 明浩 ,  有田 浩二
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994169387
Publication number (International publication number)：1996037282
Application date： Jul. 21, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 耐湿性に優れたシリコン窒化膜を保護膜としながら、強誘電体膜を容量絶縁膜として用い特性劣化がない容量素子、半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板1に作り込まれたMOSトランジスタ13と、シリコン基板1の上に形成されたシリコン酸化膜からなる第1の層間絶縁膜8の上に形成された強誘電体膜または高誘電体膜を容量絶縁膜10とする容量素子12を覆ってシリコン酸化膜からなる第2の層間絶縁膜14が形成されており、かつその上に形成された電極配線16を覆って形成された保護膜18が膜中の水素原子含有量が1021個/cm3以下のシリコン窒化膜である。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に、少なくとも下電極、強誘電体膜または高誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極で構成された容量素子と、前記容量素子を覆って形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に設けた開口を介して前記下電極、および前記上電極にそれぞれ接続された電極配線と、前記電極配線を覆って形成された保護膜とを有し、かつ前記保護膜が水素含有量1021個/cm3以下のシリコン窒化膜である容量素子。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-116221   Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
• 特開昭61-154171