Pat
J-GLOBAL ID：200903055098580845
電力用半導体スイッチのゲート駆動方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998048995
Publication number (International publication number)：1999235012
Application date： Feb. 13, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：
【要約】【課題】 外囲器の内外のゲートリードのインダクタンスを大幅に低減することによりゲート電流の変化率を大きく取れるようにし、ストレージ時間を短縮し、高周波での動作を可能とし、さらにゲート駆動に要する電力も低減するようにする。【解決手段】 電力用半導体スイッチの外囲器内部に収納される半導体ペレットのゲート部より複数のゲートリードを放射状に外囲器の側壁を貫通して外部へ導出し、これをゲート端子とする。この半導体スイッチのオン・オフを行うゲート駆動回路を装備したディスクを外囲器が貫通する形で近傍に配し、前記ゲート端子およびカソードポストのカソードフランジを前記ディスクのゲート駆動回路へ最短で接続する。
Claim (excerpt)：
電力用半導体スイッチの外囲器内部に収納される半導体ペレットのゲート部より複数のゲートリードを、放射状に外囲器の側壁を貫通して外部へ導出してゲート端子とし、前記電力用半導体スイッチのオン・オフを行うゲート駆動回路実装装置を外囲器が貫通する形状とし、前記電力用半導体スイッチを構成するカソードポストのカソードフランジおよび前記ゲート端子を前記ゲート駆動回路実装装置のゲート駆動回路へ接近して接続したことを特徴とする電力用半導体スイッチのゲート駆動方法。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
