半導体発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333221
Publication number (International publication number)：1995193333
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】基板上にクラッド層104,105で挟まれた活性層101と、電流狭窄層を有する発光素子において、基板側クラッド層の活性層に接する部分に、超格子構造を有し、かつ各クラッド層の平均屈折率が、活性層の平均屈折率よりも小さいことを特徴とする半導体発光素子。【効果】低しきい値電流、高出力動作に適した半導体発光素子を提供できる。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも第1クラッド層,活性層,第2クラッド層をこの順に有し、活性層の共振器方向の両側面に電流狭窄のための埋め込み層を有する半導体発光素子において、第1クラッド層を、第1クラッド層の少なくとも活性層に隣接した部分に、一対以上の超格子構造を有する層とし、かつ該第1クラック層、活性層、第2クラッド層の平均屈折率をそれぞれnc1,na,nc2とした場合、下記式(1),(2)を満たすことを特徴とする半導体発光素子。【数1】na>ncl 式(1)na>nc2 式(2)

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (83)

特開平3-119777
特開平3-119777
特開平4-298090

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