Pat
J-GLOBAL ID：200903055138845227

固体撮像装置及びその製造方法

Inventor：
三浦 公大

About 三浦 公大


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001120020
Publication number (International publication number)：2002314061
Application date： Apr. 18, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：
【要約】【課題】 光信号の低下を改善し、コスト削減を可能とする固体撮像装置を提供することを課題とする。【解決手段】 第1半導体基板上に、光情報を取り込み信号電荷に変換する光変換素子、金属体、第2半導体基板及び光変換素子に蓄積した信号電荷を読み出すための半導体素子がこの順で積層されてなり、第2半導体基板に、第1半導体基板と第2半導体基板とを電気的に接続するコンタクトが形成されてなることを特徴とする固体撮像装置により、上記の課題を解決する。
Claim (excerpt)：
第1半導体基板上に、光情報を取り込み信号電荷に変換する光変換素子、金属体、第2半導体基板及び光変換素子に蓄積した信号電荷を読み出すための半導体素子がこの順で積層されてなり、第2半導体基板に、第1半導体基板と第2半導体基板とを電気的に接続するコンタクトが形成されてなることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (4)：
H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A
F-Term (32)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA18 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA08 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118FB03 ,  4M118FB08 ,  4M118FB24 ,  4M118FB26 ,  4M118FB27 ,  4M118GA02 ,  4M118GB02 ,  4M118GB05 ,  4M118GB06 ,  4M118GB11 ,  4M118HA40 ,  5C024AX01 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5F049MA02 ,  5F049NA04 ,  5F049NA08 ,  5F049NA19 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM