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J-GLOBAL ID：200903055185177640

磁気トンネル接合の切替え磁界の特性を変更するための方法

Inventor： トーマス・アンソニー ,  ルン・トラン ,  マニシュ・シャーマ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002278935
Publication number (International publication number)：2003218430
Application date： Sep. 25, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】メモリデバイスの磁気特性の変動を抑えて、従来のメモリデバイスよりも性能の優れたメモリデバイスを実現するための手段を提供する。【解決手段】磁気トンネル接合は、ピン止めされた層とセンス層を形成し(206,210)、それらの層のうちの少なくとも1つの層の磁化ベクトルを再設定する(220)ことによって製造される。

Claim (excerpt)：

ピン止め層およびセンス層を含む磁気トンネル接合を形成するステップ(206および210)と、前記層の少なくとも1つの磁化ベクトルを再設定するステップ(220)を含む、方法。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

F-Term (6)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-019744   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー