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J-GLOBAL ID：200903055198673719

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
江畑 裕介

About 江畑 裕介


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000277359
Publication number (International publication number)：2002085964
Application date： Sep. 12, 2000
Publication date： Mar. 26, 2002
Summary：
【要約】【課題】 時間及び費用を削減して、処理効率の向上を図ることができる。【解決手段】 プラズマPによる膜形成プロセスの稼動中に、分布モニタリング部18が試料13の膜厚分布k(x、y)をモニタリングし、モニタリング結果に基づいて、制御部19が、ギャップ分布調整部15を制御して、不均一なギャップ分布g(x、y)を調整するので、予備的な実験・評価を繰り返す必要がない。したがって、本番処理に入るまでの時間、及びコストを低減することができる。また、歩留まりを向上することができる。
Claim (excerpt)：
プラズマにより発生した反応種によって、試料の表面処理を行なうプラズマ処理装置であって、前記反応種による前記試料の表面処理の間に、その表面処理のパラメーター分布をモニタリングするモニタリング手段と、該モニタリング手段のモニタリング結果に基づいて、表面処理の際に発生する前記試料の特性分布を均一にする均一化手段とを具備し、前記均一化手段は、試料の表面上に反応種が充填されるように形成されたギャップの分布を調整するようになっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (6)：
B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 E
F-Term (28)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC01 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075EE12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004CB01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02 ,  5F045EH07 ,  5F045EH13 ,  5F045GB09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-239682   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 特開昭60-257516
  • 特開昭59-094810
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