含油排水処理方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：古谷馨 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295512
Publication number (International publication number)：2003093803
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 02, 2003
Summary：

【要約】【課題】含油排水の再利用ができる含油排水処理方法の提供。【解決手段】 MLSS濃度5〜500mg/L、COD濃度20〜500mg/L、n-ヘキサン抽出物量5〜200mg/L、陰イオン界面活性剤濃度5〜50mg/Lで規定される濃度の汚濁原因物質を含む含油排水に対し、少なくとも凝集沈殿処理と膜分離処理をする含油排水処理方法であり、凝集沈殿処理において、液滞留時間5〜30分間で凝集剤による凝集沈澱処理を行うことにより、COD濃度3〜20mg/L、n-ヘキサン抽出物量0.1〜2mg/L及び陰イオン界面活性剤濃度1〜5mg/Lまで汚濁原因物質の濃度を減少させた一次処理水を得る工程と、一次処理水を膜分離処理することにより、MLSS濃度0.01〜1mg/Lまで汚濁原因物質の濃度を減少させた二次処理水を得る工程を備えた含油排水処理方法。

Claim (excerpt)：

MLSS濃度5〜500mg/L、COD濃度20〜500mg/L、n-ヘキサン抽出物量5〜200mg/L、陰イオン界面活性剤濃度5〜50mg/Lで規定される濃度の汚濁原因物質を含む含油排水に対し、少なくとも凝集沈殿処理と膜分離処理をする含油排水処理方法であり、凝集沈殿処理において、液滞留時間5〜30分間で凝集剤による凝集沈澱処理を行うことにより、COD濃度3〜20mg/L、n-ヘキサン抽出物量0.1〜2mg/L及び陰イオン界面活性剤濃度1〜5mg/Lまで汚濁原因物質の濃度を減少させた一次処理水を得る工程と、一次処理水を膜分離処理することにより、MLSS濃度0.01〜1mg/Lまで汚濁原因物質の濃度を減少させた二次処理水を得る工程を備えた含油排水処理方法。

IPC (10)：

B01D 21/00 , B01D 21/01 , B01D 21/01 111 , B01D 63/02 , C02F 1/28 , C02F 1/44 , C02F 9/00 502 , C02F 9/00 , C02F 9/00 503 , C02F 9/00 504

FI (14)：

B01D 21/00 B , B01D 21/00 C , B01D 21/01 B , B01D 21/01 111 , B01D 63/02 , C02F 1/28 D , C02F 1/44 F , C02F 9/00 502 G , C02F 9/00 502 H , C02F 9/00 502 P , C02F 9/00 503 C , C02F 9/00 504 B , C02F 9/00 504 D , C02F 9/00 504 E

F-Term (78)：

4D006GA06 , 4D006GA07 , 4D006HA01 , 4D006HA93 , 4D006JA02Z , 4D006KA01 , 4D006KA13 , 4D006KA43 , 4D006KA46 , 4D006KB12 , 4D006KB13 , 4D006KB30 , 4D006KC03 , 4D006KC13 , 4D006KC14 , 4D006KC16 , 4D006KD24 , 4D006KE06Q , 4D006KE22Q , 4D006MA01 , 4D006MB02 , 4D006MB05 , 4D006MC04X , 4D006MC18 , 4D006MC18X , 4D006MC39 , 4D006MC45X , 4D006MC62 , 4D006MC62X , 4D006PA01 , 4D006PB08 , 4D006PB24 , 4D006PB70 , 4D006PC80 , 4D015BA04 , 4D015BA06 , 4D015BA12 , 4D015BA19 , 4D015BA21 , 4D015BB08 , 4D015BB12 , 4D015CA06 , 4D015CA07 , 4D015CA20 , 4D015DA04 , 4D015DA05 , 4D015DA13 , 4D015DA16 , 4D015DA32 , 4D015DB03 , 4D015DB07 , 4D015DB12 , 4D015DB14 , 4D015DB23 , 4D015DB35 , 4D015DB41 , 4D015DC04 , 4D015DC07 , 4D015DC08 , 4D015EA32 , 4D015FA01 , 4D015FA02 , 4D015FA14 , 4D015FA17 , 4D015FA22 , 4D024AA04 , 4D024AB06 , 4D024BA02 , 4D024BB02 , 4D024CA04 , 4D024DA03 , 4D024DA04 , 4D024DB02 , 4D024DB04 , 4D024DB05 , 4D024DB08 , 4D024DB12 , 4D024DB21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開昭52-137160
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-221900 Applicant：株式会社クラレ
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特開昭50-006580

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