Pat

J-GLOBAL ID：200903055201354484

多結晶シリコン膜の形成方法

Inventor： 小田 宗隆 ,  清水 哲司
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993133671
Publication number (International publication number)：1994283423
Application date： Jun. 03, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 大粒径の多結晶シリコン膜を得る実用的な形成方法を提供することを目的とする。【構成】 下地となるシリコン酸化膜2表面を、前処理工程として予めエッチング作用を有する液状体、例えばフッ酸、アンモニア過水等で洗浄した後、アモルファスシリコン膜3を堆積させ、熱処理して結晶化させることにより多結晶シリコン膜4を形成する。

Claim (excerpt)：

下地となるシリコン酸化膜上にアモルファスシリコン膜を堆積させた後、該アモルファスシリコン膜を熱処理して結晶化させる多結晶シリコン膜の形成方法において、前記アモルファスシリコン膜を堆積させる前に、前記シリコン酸化膜表面をエッチング作用を有する液状体で洗浄することを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-042510
  
• 半導体膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-255328   Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開平3-289129
  
• 特開平3-289140