高分子材料を用いた光電子素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：久保山隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002141363
Publication number (International publication number)：2003332075
Application date： May. 16, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】フェナントロリン金属錯体構造を持つ化合物を用いた光電子素子であって、該素子における該化合物からなる層を塗布法により形成しうる新規な光電子素子を提供する【解決手段】下記式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を用いた光電子素子。〔R1〜R6は水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換シリル基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基である。Mは金属原子または金属イオンであり、LはMに配位する配位子であり、nは0〜3の整数。Bは対イオンであり、mは0〜3の整数。〕

Claim (excerpt)：

下記式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を用いたことを特徴とする光電子素子。〔ここで、R1、R2、R3、R4、R5およびR6はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換シリル基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基である。Mは金属原子または金属イオンであり、LはMに配位する配位子であり、nは0〜3の整数である。Bは対イオンであり、mは0〜3の整数である。〕

IPC (8)：

H05B 33/14 , C08G 61/12 , C09K 11/06 680 , G02F 1/13357 , H01L 31/04 , H01L 31/08 , H01L 51/10 , H05B 33/22

FI (8)：

H05B 33/14 B , C08G 61/12 , C09K 11/06 680 , G02F 1/13357 , H05B 33/22 B , H05B 33/22 D , H01L 31/04 D , H01L 31/08 T

F-Term (11)：

2H091FA44Z , 2H091FB02 , 3K007AB18 , 3K007CC00 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4J032BA15 , 4J032BA17 , 4J032BB08 , 5F051AA11 , 5F088AB11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

3-置換された又は3,8-置換された1,10-フェナントロリン及び電子移動又はエネルギー移動過程におけるその使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-539190 Applicant：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS SCIENCE AND TECHNOLOGY, SECTION A, 2001, V370, P387-390
Chemistry--A European Journal (2001), 7(20), 4358-4367
Journal of Chemical Physics (1999), 110(5), 2552-2557

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