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J-GLOBAL ID：200903055203992178

薄膜磁気書込みヘッド及びその製造方法

Inventor： アール・ウェド・コール ,  ジャイ-シュエィ・ジェリー・ロ ,  ジェームズ・リェン-チン・ス
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994286938
Publication number (International publication number)：1995225917
Application date： Nov. 21, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 よく画定された1μm以下のトラック幅を有する磁気書込みヘッドを提供する。【構成】 書込みヘッドは、上部磁極及び下部磁極を含むヨークを有する。各磁極は磁極端領域に磁極端構造体並びに後部領域に後面部を持つ。下部磁極の磁極端構造体は下部磁極端素子PT1aと上部磁極端素子PT1bを有し、並びに上部磁極の磁極端構造体は上部磁極端素子PT2aと下部磁極端素子PT2bを有する。上部磁極端素子PT1bと下部磁極端素子PT2bは下部磁極端素子PT1aと上部磁極端素子PT2aとの間に位置し、ギャップ層Gは上部磁極端素子PT1bと下部磁極端素子PT2bとの間に位置する。上部磁極端素子PT1bと下部磁極端素子PT2b及びギャップ層Gのそれぞれは、前壁と後壁並びに第1の側壁と第2の側壁によって囲まれている。

Claim (excerpt)：

実質的に平らなエア・ベアリング面(ABS)からゼロ・スロート・レベルに延びる磁極端領域と、前記ゼロ・スロート・レベルから後部ギャップに延び、且つ前記後部ギャップを含む後部領域とを有する薄膜磁気書込みヘッドであって、前記磁極端領域における磁極端構造体と、前記後部領域における後部層域とを各々が有する下部磁極P1及び上部磁極P2であって、前記下部磁極P1の磁極端構造体は、下部磁極端素子PT1aと上部磁極端素子PT1bとを有し、前記上部磁極P2の磁極端構造体は、上部磁極端素子PT2aと下部磁極端素子PT2bとを有し、更に、前記上部磁極端素子PT1bと前記下部磁極端素子PT2bとの間に挟まれたギャップ層Gを有し、前記上部磁極端素子PT1b、前記ギャップ層G及び前記下部磁極端素子PT2bは、前記ゼロ・スロート・レベルにおいて実質的に平らな後壁をそれぞれ有し、且つ前記後壁は、前記ゼロ・スロート・レベルにおいて前記ABSに対して実質的に平行な平面を集合的に形成する、薄膜磁気書込みヘッド。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-031771   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平3-296907
  
• 特開平3-058308
  
• 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-228101   Applicant：ミネベア株式会社