半導体装置及びそれを用いた放射線撮像システム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999250295
Publication number (International publication number)：2001074845
Application date： Sep. 03, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】貼り合わせ時に半導体装置のシンチレータが破壊されることを防止する。【解決手段】シンチレータを形成した第1の基体と、光電変換部を形成した第2の基体とを接着材を介して貼り合わせた半導体装置において、前記シンチレータの形状が破壊されないように、前記シンチレータを覆うように保護層を形成する。

Claim (excerpt)：

シンチレータを形成した第1の基体と、光電変換部を形成した第2の基体とを接着材を介して貼り合わせた半導体装置において、前記シンチレータの形状が破壊されないように、前記シンチレータを覆うように保護層を形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

G01T 1/20 , H01L 27/14 , H01L 31/09

FI (4)：

G01T 1/20 B , G01T 1/20 D , H01L 27/14 K , H01L 31/00 A

F-Term (28)：

2G088FF02 , 2G088GG16 , 2G088GG20 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ10 , 2G088JJ37 , 4M118AA01 , 4M118AA08 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA14 , 4M118CA33 , 4M118CB06 , 4M118CB11 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB24 , 4M118FB26 , 4M118GA02 , 4M118GA10 , 5F088AB05 , 5F088BA01 , 5F088BB03 , 5F088DA01 , 5F088EA08 , 5F088HA15 , 5F088LA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

薄膜イメージセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-004140 Applicant：株式会社日立製作所
放射線検出装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-034903 Applicant：キヤノン株式会社
反射および保護膜を有するソリッドステート放射線イメージャ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222517 Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

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