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J-GLOBAL ID:200903055269165108

多層回路基板の隣接回路基板層間の電気的相互接続形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石田 敬 (外3名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1995502035
Publication number (International publication number):1996510868
Application date: Jun. 07, 1994
Publication date: Nov. 12, 1996
Summary:
【要約】多層回路基板は隣接回路基板層間を電気的に相互接続される。回路基板層には通路孔が設けられ、この通路孔は通路メタルによって満たされる。この通路孔は低融点メタルによってメッキされる。粘着性のフィルムが回路基板層に蒸着形成される。多層回路基板の隣接層は重ねられ、整列され、加熱、加圧下で積層化される。低融点メタルは隣接回路基板層の間に電気的相互接続を形成する。
Claim (excerpt):
第一回路基板層の第一面上にトレースメタルを蒸着形成する過程と、 この第一回路基板層の第一面と第二面との間に前記トレースメタルまで伸びる通路孔を形成する過程と、 前記第一回路基板層の第二面上の通路孔から外に向かう隆起部を形成するように、通路孔に通路メタルを蒸着形成する過程と、 第二回路基板層の第一面に電気接触子を蒸着形成する過程と、 第一及び第二の回路基板層の間に粘着剤が介在し、かつ第二回路基板層の電気接触子が、第一回路基板層の通路に全体として揃うようにして第一回路基板層と第二回路基板層を整列させる過程と、 第一回路基板層の通路メタルが第二基板層の電気接触子に電気的に接触するように第一回路基板層を第二回路基板層に重ね合わせて積層化する過程と、を備えることを特徴とする多層相互接続を形成する方法。
FI (3):
H05K 3/46 G ,  H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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