部分的に異なる厚さを有するキャパシタの誘電膜の形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999055838
Publication number (International publication number)：2000124424
Application date： Mar. 03, 1999
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】漏れ電流を最大限抑制すると同時に素子動作に必要なセルキャパシタンスを十分に確保しうる誘電膜の形成方法を提供する。【解決手段】屈曲型結晶粒が形成された下部電極上に誘電膜を形成するために、ガスパルシング方法を利用した蒸着方法で下部電極の表面中曲率半径が大きな凸部上には100%の優秀なステップカバレージを有する誘電膜を形成し、これと同時に曲率半径が小さな凹部上には他部より厚く誘電膜を形成して凹部からの誘電膜のステップカバレージを100%以上にする。表面に屈曲型結晶粒によって曲率半径が比較的大きい凸部と曲率半径が比較的小さな凹部が形成されている下部電極上に誘電膜の形成に必要な第1反応物を供給し、第1反応物の少なくとも1個の構成原子が下部電極の表面に化学的に結合されてなった化学的吸着層と第1反応物の少なくとも1個の構成物質が化学的吸着層上に物理的に結合されてなった物理的吸着層を形成する。

Claim (excerpt)：

(a)表面に屈曲型結晶粒によって曲率半径が比較的に大きな凸部と曲率半径が比較的に小さな凹部が形成されている下部電極上に誘電膜の形成に必要な第1反応物を供給し、前記第1反応物の少なくとも1個の構成原子が前記下部電極の表面に化学的に結合されてなった化学的吸着層と前記第1反応物の少なくとも1個の構成物質が前記化学的吸着層上に物理的に結合されてなった物理的吸着層を形成する段階と、(b)前記凹部でのみ前記物理的吸着層の一部が前記化学的吸着層上に残存するように前記物理的吸着層の残り一部を除去する段階と、(c)前記化学的吸着層及び前記残存する物理的吸着層を前記誘電膜の形成に必要な第2反応物と反応させ、前記下部電極の表面に前記凸部上より前記凹部上にさらに厚く薄膜を形成する段階とを含むことを特徴とするキャパシタの誘電膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23C 16/40 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 651 , C23C 16/40 , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体記憶装置のキャパシタ絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-219202 Applicant：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
ストレージ電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-275469 Applicant：沖電気工業株式会社

Cited by examiner (2)

半導体記憶装置のキャパシタ絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-219202 Applicant：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
ストレージ電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-275469 Applicant：沖電気工業株式会社

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