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J-GLOBAL ID：200903055413582088

半導体集積回路及びその製造方法

Inventor： 川中 繁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000212687
Publication number (International publication number)：2002033399
Application date： Jul. 13, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 トランジスタの基板浮遊効果を抑制しつつ、ボディ効果による閾値電圧の上昇を防止することができ、低消費電力化を実現することができ、又動作速度の高速化を実現することができる半導体集積回路を提供する。さらに、この半導体集積回路の最適な製造方法を提供する。【解決手段】 半導体集積回路に搭載された多入力論理回路(例えば2入力NAND回路)は、第1の電源端子1と出力端子5との間に電気的に直列に接続された複数個の同一チャネル導電型の電圧駆動型トランジスタ11及び12を備えている。そして、少なくとも出力端子5側の電圧駆動型トランジスタ12のソース領域とチャネル形成領域(ボディ領域)との間が実質的に同電位になるように電気的に接続されている。半導体集積回路にはSOI構造又はSOS構造が採用されている。

Claim (excerpt)：

電源端子と出力端子との間に電気的に直列に接続された複数個の同一チャネル導電型の電圧駆動型トランジスタを備え、少なくとも前記出力端子側の電圧駆動型トランジスタのソース領域とチャネル形成領域との間を、実質的に同電位になるように電気的に接続したことを特徴する半導体集積回路。

IPC (8)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/095

FI (8)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 21/82 B ,  H01L 21/82 C ,  H01L 27/04 A ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 626 B ,  H01L 29/80 E

F-Term (98)：

5F038AV06 ,  5F038CA02 ,  5F038CA17 ,  5F038CD18 ,  5F038DF01 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA09 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF17 ,  5F048BF18 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F064AA20 ,  5F064BB05 ,  5F064BB06 ,  5F064BB09 ,  5F064BB10 ,  5F064BB13 ,  5F064BB14 ,  5F064CC07 ,  5F064CC09 ,  5F064CC12 ,  5F064DD02 ,  5F064DD03 ,  5F064EE22 ,  5F064EE27 ,  5F064EE33 ,  5F064GG01 ,  5F064GG03 ,  5F064HH06 ,  5F064HH08 ,  5F064HH09 ,  5F064HH12 ,  5F102GA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL05 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16 ,  5F110AA09 ,  5F110AA15 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG34 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-205356
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-135875   Applicant：株式会社日立製作所