高周波スイッチとバイアス回路と移相器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996015635
Publication number (International publication number)：1997214201
Application date： Jan. 31, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】高周波制御回路(スイッチ/バイアス回路/移相器)の広帯域化方式を実現する。【解決手段】 SPDTスイッチで入力端子1から入力線路5とテーパ形インピーダンス変成器9aを介して分岐しDCカット用キャパシタ10を介して第1と第2の出力線路6a/6bと7a/7b間に他端接地PINダイオード3a/3bを金ワイヤ4で並列に装荷し、テーパ形インピーダンス変成器9b/9cとDCカット用キャパシタ10と第3の出力線路8a/8bを介して出力端子2a/2bに接続する。バイアス端子12をもつバイアス回路11をテーパ形インピーダンス変成器9b/9cとDCカット用キャパシタ10との間に並列に装荷する。またはPINダイオード3aと3bに代えて相反する極性のPINダイオード3とNIPダイオード13を用い、共通に用いるバイアス回路11を入力線路5もしくは第2の出力線路8b(たとえば出力端子2a側の2b側より低通過特性要求時)付近の部位に設置する。

Claim (excerpt)：

経路の分岐部から1/4波長の出力端子側部位に並列装荷をするスイッチング素子を備える高周波スイッチにおいて、前記スイッチング素子から前記分岐部と出力端子までの各線路で、インピーダンス変成器を介し接続する当該高周波スイッチ外部線路の特性インピーダンスより高いインピーダンス線路として形成することを特徴とする高周波スイッチ。

IPC (3)：

H01P 1/15 , H01P 1/00 , H01P 1/185

FI (3)：

H01P 1/15 , H01P 1/00 Z , H01P 1/185

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平3-089701
特開平2-104115
バイアス回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-317037 Applicant：福島日本電気株式会社

Show all

Return to Previous Page