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J-GLOBAL ID：200903055418277950

ZnO系半導体発光素子

Inventor：
石崎 順也

About 石崎 順也


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001260742
Publication number (International publication number)：2003069076
Application date： Aug. 30, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 MgxZn1-xO型酸化物(0≦x≦1)よりなるZnO系半導体発光素子において、活性層を高品質にて確実に形成でき、ひいては高性能で安価な青色発光型の発光素子を提供する。【解決手段】 ダブルへテロ型の発光層部10において、ZnO系半導体活性層4を、SeもしくはTeを含むZnOを主体としたZnO系半導体より形成することで、活性層4の形成過程におけるZnO結晶の酸素欠損したサイトに同族であるSeもしくはTeを導入することが可能となり、活性層4の結晶性を向上させることができる。また、SeもしくはTeを導入することで、バンドギャップエネルギーが青色より短波長側に位置するZnOより活性層を形成した場合に比べて、活性層4より得られる発光波長を長波長側にシフトさせることができるので、高発光効率の青色発光型発光素子の実現に寄与することになる。
Claim (excerpt)：
発光層部がダブルへテロ構造を有するとともに、活性層およびクラッド層よりなる前記ダブルへテロ構造において、前記活性層は、II族元素をZnとし、VI族元素をOと、SeまたはTeとしたII-VI族化合物半導体より形成され、他方、前記クラッド層は、MgxZn1-xO(ただし、0≦x≦1)型酸化物より形成されてなることを特徴とするZnO系半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/365
FI (2)：
H01L 33/00 D ,  H01L 21/365
F-Term (32)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA15 ,  5F045AB22 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF06 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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