A面サファイア基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子およびその製法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：河村洌 , 河村洌 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999211223
Publication number (International publication number)：2001044500
Application date： Jul. 26, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】結晶性の優れたZnO系化合物半導体が得られ、素子の特性を向上させた半導体発光素子などのZnO系化合物半導体を用いる素子を提供する。【解決手段】サファイア基板1のC面と直交する面、たとえばA面(11-20)を主面とするサファイア基板1の前記主面(A面)上にZnO系化合物半導体層2がエピタキシャル成長されている。半導体発光素子を構成する場合には、たとえばZnO系化合物半導体層からなるn形クラッド層とp形クラッド層とで、クラッド層よりバンドギャップの小さい活性層を挟持する発光層形成部を構成するように順次積層される。

Claim (excerpt)：

ZnO系化合物層を有する素子であって、サファイア基板のC面と直交する面を主面とするサファイア基板と、該サファイア基板の前記主面上にエピタキシャル成長されたZnO系化合物層とを有するZnO系化合物層を有する素子。

IPC (6)：

H01L 33/00 , H01L 21/363 , H01L 21/365 , H01L 37/02 , H01L 41/24 , H01S 5/327

FI (6)：

H01L 33/00 D , H01L 21/363 , H01L 21/365 , H01L 37/02 , H01S 5/327 , H01L 41/22 A

F-Term (48)：

5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041CA02 , 5F041CA04 , 5F041CA06 , 5F041CA23 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CB05 , 5F041FF01 , 5F045AA05 , 5F045AB21 , 5F045AB22 , 5F045AC07 , 5F045AC09 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F073AA21 , 5F073AA74 , 5F073CA22 , 5F073CB05 , 5F073CB16 , 5F073DA06 , 5F073DA11 , 5F073DA22 , 5F073DA30 , 5F073EA05 , 5F103AA04 , 5F103AA05 , 5F103BB09 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH08 , 5F103KK10 , 5F103LL01 , 5F103PP02 , 5F103PP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-045311 Applicant：株式会社村田製作所
3-5族化合物半導体と発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-070621 Applicant：住友化学工業株式会社
II族-酸化物を含む光半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-072003 Applicant：科学技術振興事業団

Show all

Return to Previous Page