Pat

J-GLOBAL ID：200903055433690871

導電層成膜の前処理方法

Inventor： 柳田 敏治 ,  角 ▲博▼文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993261854
Publication number (International publication number)：1995094473
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ダメージを加えることなく半導体基材の表面をドライエッチングする前処理方法を提供し、設計ルールに基づく半導体装置の製造を可能にすることを目的とする。【構成】 チャンバ12の外部にプラズマ発生源となるコイル13を設けたエッチング装置1を用い、チャンバ12内に半導体基材10を配置してチャンバ12内を非酸化性の雰囲気にし、半導体基材10に10V〜250Vの電圧を印加すると共にチャンバ12内にエッチングガス14を導入してチャンバ12内に密度が1×1011〜1×1014cm-3のプラズマを発生させ、そのプラズマによって半導体基材10の表面をエッチングする。これによって、プラズマの半導体基材10表面への入射エネルギーを低く抑え、半導体基材10にダメージが加わらないように半導体基材10表面をドライエッチングする。

Claim (excerpt)：

半導体基材上に導電層を成膜する前に、チャンバの外部にプラズマ発生源が設けられたエッチング装置によって行う前処理方法であって、前記エッチング装置のチャンバ内に半導体基材を配置して当該チャンバ内を非酸化性の雰囲気にし、当該半導体基材に10V〜250Vの電圧を印加すると共に当該チャンバ内にエッチングガスを導入してプラズマを発生させ、そのプラズマによって前記半導体基材の表面をエッチングすることを特徴とする導電層成膜の前処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-196819
  
• 特開昭62-247064
  
• エッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-041567   Applicant：株式会社日本製鋼所, 日鉄セミコンダクター株式会社
• 特表平7-508142