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J-GLOBAL ID:200903055436401021
薄膜抵抗及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岡田 英彦 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994076028
Publication number (International publication number):1995283369
Application date: Apr. 14, 1994
Publication date: Oct. 27, 1995
Summary:
【要約】【目的】 薄膜抵抗を小さな電流で溶断可能にすること。【構成】 ?@薄膜抵抗体層14の下面14e側に微細な絶縁性材料塊13b群がくい込むように配置されていることを特徴とする薄膜抵抗。?A基板10の絶縁表面12上に少なくとも1種類の絶縁性材料を含む複数種類の材料で構成される膜13を形成する第1工程と、この膜13から少なくとも1種類の微細な絶縁性材料塊13b群を析出する第2工程と、この絶縁性材料塊13b群を残して前記膜13を除去する第3工程と、前記絶縁性材料塊13b群及び前記基板10の絶縁表面12の所定箇所を覆うように薄膜抵抗体層14を形成する第4工程とを具備する薄膜抵抗の製造方法。
Claim (excerpt):
薄膜抵抗体層の下面側に微細な絶縁性材料塊群がくい込むように配置されていることを特徴とする薄膜抵抗。
IPC (4):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/82
, H01L 27/10 431
FI (2):
H01L 27/04 P
, H01L 21/82 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-027294
Applicant:株式会社リコー
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