半導体レーザアレイおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993154040
Publication number (International publication number)：1995015092
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】発振波長の異なる半導体レーザがアレイ状に集積された素子を簡単な作製工程によって再現性よく製作する。【構成】活性領域31、位相制御領域32、およびDBR領域33からなる波長可変半導体レーザがn素子アレイ状に配置された素子をMOVPE選択成長を用いて製作する。均一な周期を有する回折格子がDBR領域33に形成された、InP基板1の表面に誘電体薄膜ストライプマスク20を形成する際、DBR領域33でのマスク幅をチャンネルごとにWm 1 、Wm 2 、・・・Wm n と変化させ、それぞれのストライプマスク20に挟まれた導波領域21に、少なくとも量子井戸光導波層からなる多層構造を選択的に形成する。チャンネルごとにDBR領域33の導波層厚が変化するために導波層の等価屈折率が変化し、発振波長が変化する。こうして回折格子の周期を変える必要なく一回の結晶成長で導波層を作製できる。

Claim (excerpt)：

活性領域、位相制御領域ならびにDBR領域からなり、選択的に形成され少なくとも量子井戸構造からなる光導波層を有する半導体レーザが複数個並列に配置された半導体レーザアレイにおいて、複数の前記DBR領域に形成された回折格子の周期がすべて同一であり、かつ前記光導波層の層厚が異なることを特徴とする半導体レーザアレイ。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 27/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

アレイ型半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-265880 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平2-110986
特開平3-091276

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