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J-GLOBAL ID：200903055535325310
新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパタ-ン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999128044
Publication number (International publication number)：2000186118
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるエステル化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R4を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R4を示す。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。kは0又は1である。mは0又は1、nは0、1、2、3のいずれかであり、2m+n=2又は3を満足する数である。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示されるエステル化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R4を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R4を示す。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。kは0又は1である。mは0又は1、nは0、1、2、3のいずれかであり、2m+n=2又は3を満足する数である。)
IPC (3)：
C08F 32/00
, C07C 69/753
, G03F 7/039 601
C08F 32/00
, C07C 69/753 C
, G03F 7/039 601
