半導体装置およびその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999321793
Publication number (International publication number)：2000216397
Application date： Nov. 11, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】信頼性の高いTFT構造を用いた半導体装置を実現する。【解決手段】 nチャネル型TFTのゲート電極を、第1のゲート電極(113と114)と、第1のゲート電極を覆う第2のゲート電極115とで形成する。LDD領域103、104は第2のゲート電極115にゲート絶縁膜112を介して重なる部分と重ならない部分とを有している。その結果、TFTのオン動作時の劣化を防ぎ、且つ、オフ動作時のリーク電流を低減することが可能となる。

Claim (excerpt)：

nチャネル型TFTとpチャネル型TFTとで形成されたCMOS回路を含む半導体装置において、前記nチャネル型TFTのゲート電極は、第1のゲート電極及び該第1のゲート電極を覆う半導体膜からなる第2のゲート電極で形成され、前記nチャネル型TFTの半導体層は、チャネル形成領域、該チャネル形成領域に接して形成された第1の不純物領域及び該第1の不純物領域に接して形成された第2の不純物領域を有し、前記第2のゲート電極はゲート絶縁膜を介して前記第1の不純物領域の一部と重なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1365 , G09F 9/00 342 , G09F 9/30 338 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 29/43

FI (9)：

H01L 29/78 616 A , G09F 9/00 342 , G09F 9/30 338 , H01L 27/08 331 E , G02F 1/136 500 , H01L 27/08 321 D , H01L 29/62 G , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 617 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

薄膜半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-043672 Applicant：株式会社高度映像技術研究所
薄膜半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-043673 Applicant：株式会社高度映像技術研究所

Cited by examiner (1)

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