多結晶薄膜とその製造方法およびこれを用いた酸化物超電導導体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：志賀正武 (外3名) , 志賀正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999338730
Publication number (International publication number)：2001152324
Application date： Nov. 29, 1999
Publication date： Jun. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】結晶配向性に優れた多結晶薄膜B、特に、化学反応安定性が高く、高温等の加熱処理においても、結晶配向性が乱れることのない安定な多結晶薄膜Bを得、優れた臨界電流密度の高い酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体を得る。【解決手段】基材Aの成膜面と平行な面に沿う多結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が、30度以下に形成されてなる酸化ハフニウムの多結晶薄膜Bを提供する。また、酸化ハフニウムを主構成成分とする結晶体をターゲットとし、このターゲットから発生させた粒子を、イオンソースから発生させたイオンビームを基材の成膜面の法線に対して50〜60度の入斜角度で斜め方向から照射しながら、多結晶体の金属からなる基材A上に堆積させて成膜する多結晶薄膜の製造方法を提供する。さらに、上記多結晶薄膜を中間層に用いた酸化物超電導導体を提供する。

Claim (excerpt)：

多結晶体からなる金属基材上に形成された多数の結晶粒が結晶粒界を介して結合されてなる酸化ハフニウムの多結晶薄膜であって、基材の成膜面と平行な面に沿う多結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が、30度以下に形成されてなることを特徴とする多結晶薄膜。

IPC (3)：

C23C 14/08 , C23C 14/46 , H01L 39/24 ZAA

FI (3)：

C23C 14/08 F , C23C 14/46 Z , H01L 39/24 ZAA B

F-Term (19)：

4K029AA02 , 4K029BA43 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029BB08 , 4K029BC04 , 4K029CA05 , 4K029CA15 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC37 , 4M113AD35 , 4M113AD36 , 4M113AD68 , 4M113BA04 , 4M113CA34 , 4M113CA35 , 4M113CA36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-293464 Applicant：株式会社フジクラ
多結晶薄膜の製造装置と製造方法および酸化物超電導導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-210777 Applicant：株式会社フジクラ
特許第2590142号

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