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J-GLOBAL ID：200903055618240686
パワー半導体モジュール
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993143271
Publication number (International publication number)：1995014948
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】半導体素子および各部品に熱電対を取り付けることによって、装置の使用中の温度を常時モニターし、各接合部の劣化および装置の冷却状況が把握できる電力用パワー半導体モジュールを提供すること。【構成】絶縁基板上に半導体素子および各電極が搭載され、その絶縁基板が放熱板に固着され全体を樹脂で覆われたパワー半導体モジュールにおいて、半導体素子および各部品に熱電対が取り付けられてなるパワー半導体モジュール。【効果】使用中の半導体素子および各部品の接合部の温度を常時モニターできるため、その温度上昇の変化から接合部の劣化の状況が把握でき、事前に故障を察知できる効果がある。
Claim (excerpt)：
放熱板上に固着された絶縁基板およびこの絶縁基板上に固着された複数の電極と、この電極上にそれぞれ固着された複数の半導体素子とこれら全体を樹脂で覆った構造のパワー半導体モジュールにおいて、上記各構成部品間の接合部の劣化を推定できる機構が具備されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2)：
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