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J-GLOBAL ID：200903055626497238

ペロブスカイト含有複合材料、その製造方法、電子部品およびモジュール

Inventor： マライケ カタリーヌ クレー ,  ハンス-ウォルガング ブランド ,  ポール ラルセン
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995062933
Publication number (International publication number)：1995330426
Application date： Mar. 22, 1995
Publication date： Dec. 19, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 基板と、第1チタン含有ペロブスカイト中間層と、第2ペロブスカイト被覆層とを有し、良好な特性を示すペロブスカイト含有複合材料およびその製造方法を提供する。【構成】 前記第1ペロブスカイトおよび前記第2ペロブスカイトを、四成分またはこれより多い成分の置換ペロブスカイトとする。この複合材料は、基板に、第1の四成分またはこれより多い成分の置換チタン含有ペロブスカイトを中間層として設け、第2の四成分またはこれより多い成分の置換ペロブスカイトを被覆層として設け、前記被覆層を設ける前に前記中間層の被膜を焼結することにより製造される。【効果】 この複合材料は単相ペロブスカイト被覆層を具えているので、集積化キャパシタ、強誘電性の不揮発性メモリ、ダイナミックメモリ、圧電トランスジューサを包含する電子部品およびモジュールの製造に使用するのに極めて適している。

Claim (excerpt)：

基板と、第1チタン含有ペロブスカイト中間層と、第2ペロブスカイト被覆層とを有するペロブスカイト含有複合材料において、前記第1ペロブスカイトおよび前記第2ペロブスカイトが四成分またはこれより多い成分の置換ペロブスカイトであることを特徴とするペロブスカイト含有複合材料。

IPC (11)：

C04B 35/49 ,  C04B 41/85 ,  C04B 41/89 ,  H01B 3/12 305 ,  H01G 4/12 415 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/08

FI (4)：

C04B 35/49 D ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-162534   Applicant：ローム株式会社
• 強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-162532   Applicant：ローム株式会社