Pat

J-GLOBAL ID：200903055664077722

強誘電体薄膜の形成方法

Inventor： 嶋田 恭博 ,  藤井 英治 ,  有田 浩二 ,  那須 徹 ,  松田 明浩
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993023933
Publication number (International publication number)：1994234551
Application date： Feb. 12, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 強誘電体薄膜の形成方法において、熱処理工程で強誘電体成分以外の不要な化合物が少なく、欠陥の少ない膜を形成する。【構成】 支持基板1の上に金属アルコキシドと溶媒からなるゾル-ゲル液または金属有機剤の溶液を塗布する工程と、酸素またはオゾン雰囲気ガス中で低圧水銀ランプ3を用いて塗布膜に紫外線を照射した後熱処理を加えるか、または紫外線を照射しながら熱処理を加える工程とを有する。

Claim (excerpt)：

支持基板の一表面上に金属アルコキシドと溶媒からなるゾル-ゲル液または金属有機剤の溶液を塗布する工程と、酸化性雰囲気ガス中で前記ゾル-ゲル液または金属有機剤の溶液からなる塗布膜に紫外線を照射する工程と、その後前記支持基板を熱処理する工程とを有する強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (4)：

C03C 17/25 ,  B01J 19/12 ,  C01G 23/00 ,  H01B 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-042029   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 金属酸化物薄膜のパターン形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-281627   Applicant：ローム株式会社
• 特開平1-111880