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J-GLOBAL ID：200903055690146333

炭化けい素半導体素子の製造方法

Inventor： 辻 崇
Applicant, Patent owner： 富士電機ホールディングス株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005129773
Publication number (International publication number)：2005260267
Application date： Apr. 27, 2005
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

【課題】イオン注入された不純物を活性化するためのアニール後のSiC表面を清浄かつ平滑に保持し、良好な特性の炭化けい素半導体素子を作製する方法を提供する。【解決手段】表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

炭化けい素結晶板の表面層に不純物のドーピングとその後のアニールにより不純物領域を形成する炭化けい素半導体素子の製造方法において、有機膜のマスクを用いた選択的なドーピングをおこない、マスクを除去しないまま非酸化性雰囲気でアニールをおこない、アニール後炭化してグラファイト膜となったマスクを除去することを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法。

IPC (1)：

H01L21/265

FI (2)：

H01L21/265 Z ,  H01L21/265 602A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 炭化けい素半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-239798   Applicant：富士電機株式会社
• 炭化けい素半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-293720   Applicant：富士電機株式会社