炭化けい素半導体素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997293720
Publication number (International publication number)：1999135450
Application date： Oct. 27, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】炭化けい素半導体素子製造のため、イオン注入をおこない、更にダメージ回復と不純物活性化のため1500°C以上のアニールをおこなう際の、炭化けい素基板表面の粗面化による素子特性の劣化を防止する。【解決手段】(1)アニール後に、例えば水素希釈の塩酸ガスのようなエッチングガスにより基板表面をエッチングし、平滑化する。(2)アニール前に、例えばアルミナのようなアニール温度で安定な薄膜を積層し、アニール後にその薄膜を除去して、初期の表面粗さを保つ。

Claim (excerpt)：

炭化けい素基板にイオン注入を行い、高温でアニールを実施する炭化けい素半導体素子の製造方法において、アニール後に基板表面を平滑化することを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 29/861

FI (4)：

H01L 21/265 602 A , H01L 21/265 Z , H01L 29/78 301 B , H01L 29/91 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

炭化けい素半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-141337 Applicant：富士電機株式会社
不純物のイオン注入方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-289331 Applicant：工業技術院長, 株式会社イオン工学研究所
SiC結晶成長方法およびSiC半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-210321 Applicant：富士電機株式会社

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