コンタクタ及びコンタクタを形成する方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999171067
Publication number (International publication number)：2000074941
Application date： Jun. 17, 1999
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板の平面上にフォトリソグラフィ技術により形成した、半導体ウエハ,LSIパッケージ、プリント回路基板等をテストするために用いるプローブコンタクタ及びコンタクタを形成する方法を提供する。【解決手段】プローブコンタクタは表面上に電導通路であるインターコネクトトレイスを有する基板と、フォトリソグラフィ製法によりその基板上に形成されたコンタクタで構成される。そのコンタクタはその基板に対して直立に形成されたベース部と、一端がベース部上に形成される水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とを有する。そのコンタクタが被テスト部品に押しつけられるとき、コンタクタの水平部により接触圧力を生じる。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ,LSIパッケージ、プリント回路基板(被テスト部品)をテストするために用いるコンタクタにおいて、表面上に電導通路であるインターコネクトトレイスを有する誘電体基板と、フォトリソグラフィ製法によりその誘電体基板上に形成されたコンタクタであり、そのコンタクタはその誘電体基板に対して直立に形成されたベース部と、一端がベース部上に形成される水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とにより構成され、そのコンタクタが被テスト部品に押しつけられるとき、コンタクタの水平部により接触圧力を生じ、上記を具備したことを特徴とするコンタクタ。

IPC (5)：

G01R 1/073 , G01R 31/02 , G01R 31/26 , H01L 21/66 , H05K 3/00

FI (5)：

G01R 1/073 F , G01R 31/02 , G01R 31/26 J , H01L 21/66 B , H05K 3/00 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

バネ性を具備したマイクロコンタクト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-025855 Applicant：森崎正幸

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